由麻省理工学院分拆的初创企业 Vertical Semiconductor 宣布，成功筹集了 1100 万美元资金，用于商业化其高效供电芯片技术，旨在为人工智能服务器提供更优的电力支持。
Vertical Semiconductor 专注于使用氮化镓（GaN）材料制造芯片，这一材料被视为硅材料的理想替代品，氮化镓技术正成为英伟达等芯片设计商推动数据中心辅助芯片革新的关键，旨在提高电力传输效率，并将电力转换为芯片所需的低压电。
随着人工智能数据中心耗电量不断攀升,电力损耗问题日益突出，Vertical Semiconductor 的技术能够有效降低电力损耗，为数据中心带来显著节能效果。
此次融资由风险投资公司 Playground Global 牵头，其合伙人马特・赫森松（Matt Hersenson）表示，Vertical Semiconductor 的技术能够将原本转化为热能的电力用于计算任务，从而提高整体效率。
Vertical Semiconductor 与瑞萨电子、英飞凌等传统芯片制造商合作，共同开发基于氮化镓的供电芯片，Vertical Semiconductor 采用了一种独特的技术路线，将晶体管垂直堆叠，使芯片体积更小、发热更低。
该公司创始人托马斯・帕拉西奥斯（Tomas Palacios）表示，这一技术源自麻省理工学院的研究，有望为数据中心所有者带来显著的成本节省。
Vertical Semiconductor 预计将在今年推出芯片原型，明年实现量产，公司首席执行官廖 Cynthia（Cynthia Liao）表示，Vertical Semiconductor 坚信其技术将为数据中心带来真正的阶段性变革，与现有成熟技术相比，其方案更具竞争力。
